mos管的工作状态？ mos管的工作状态怎么判别？

一、mos管的工作状态？

一、MOS管三个工作状态

MOSFET工作区域的判定方法（NMOS）：

1、当 Vgs

2、当 Vgs > Vth 且 Vds

3、当 Vgs > Vth 且 Vds > Vgs - Vth 时，饱和区(恒流区)。

4、其中 Vth 是 MOS管 的一个重要参数——开启电压。

二、扩展

1、当MOS管 工作在变阻区内时，其沟道是“畅通”的，相当于一个导体。在 Vds Vds

2、MOS管 工作在饱和区（恒流区）与 BJT 的饱和区不同，称 MOS管此区为饱和区，主要表示 Vds 增加 Id 却几乎不再增加——也即电流饱和。其实在此饱和区内，MOS管 和 BJT 都处于受控恒流状态，故也称其为恒流区。

二、mos管的工作状态怎么判别？

当MOS管 工作在变阻区内时，其沟道是“畅通”的，相当于一个导体。在 Vds Vds

MOS管 工作在饱和区（恒流区）与 BJT 的饱和区不同，称 MOS管此区为饱和区，主要表示 Vds 增加 Id 却几乎不再增加——也即电流饱和。其实在此饱和区内，MOS管 和 BJT 都处于受控恒流状态，故也称其为恒流区。

三、同步整流mos管的工作状态？

工作状态是导通。

同步整流是采用通态电阻极低的专用功率MOS，来取代整流二极管以降低整流损耗的一项新技术。

它能大大提高DC/DC变换器的效率并且不存在由肖特基势垒电压而造成的死区电压。

功率MOSFET属于电压控制型器件，它在导通时的伏安特性呈线性关系。用功率MOSFET做整流器时，要求栅极电压必须与被整流电压的相位保持同步才能完成整流功能，故称之为同步整流。

四、mos管可以工作在放大状态么？

mos管是绝缘栅场效应管，具有输入阻抗极高的特点，这种管子既可以工作在开关状态，也可以工作在放大状态。它是一种电压控制器件，通过控制场效应管的栅极电压来控制它的源极电流，达到放大的目的。因为是电压控制器件，基本没有栅极电流，所以功耗极小。

五、mos管开通条件？

MOS管导通条件

MOS管的导通与截止由栅源电压来控制，对于增强型MOS管来说，N沟道的管子加正向电压即导通，P沟道的管子则加反向电压。

一般2V～4V就可以了。但是，MOS管分为增强型（常开型）和耗尽型（常闭型），增强型的管子是需要加电压才能导通的，而耗尽型管子本来就处于导通状态，加栅源电压是为了使其截止。

开关只有两种状态通和断，三极管和MOS管工作有三种状态，1、截止，2、线性放大，3、饱和（基极电流继续增加而集电极电流不再增加）。

六、mos管和3842工作原理？

3842是电源管理芯片，通过电压反馈控制它的占空比来控制功率MOS达到稳定输出电压的目的

七、mos管充电工作原理？

MOS管本身有Cgs，Cgd，Cds寄生电容，这是由制作工艺决定的。MOS管的开通和关断其实就是对Cgs充放电的过程。开启时通过栅极R1电阻对Cgs充电，充电时间常数=R1*Cgs。所以R1较大的话，时间常数就大了。这样如果开关频率很高的话，在脉宽的时间内管子很可能无法正常导通。

八、双mos管电路工作原理？

双MOS管电路工作原理与结型场效应管相同，双MOS管工作原理动画示意图也有N沟道和P沟道两类，但每一类又分为增强型和耗尽型两种，因此双MOS管的四种类型为N沟道增强型管、N沟道耗尽型管、P沟道增强型管、P沟道耗尽型管。

凡栅极-源极电压UGS为零时漏极电流也为零的管子均属于增强型管，凡栅极-源极电压UGS为零时漏极电流不为零的管子均属于耗尽型管。

九、mos管的三个极？

不论作信号处理用的结型或绝缘珊型mos管、或者作功率处理用的mos管都有三个引出电极，分别称为珊极、漏极、板极。

珊极的作用类似晶体三极管的基极，通常作输入控制信号，漏极相当于晶体管的发射极，是载流子（在珊极控制下，该极产生随之变化的电荷或空穴），板极类似晶体管的集电极，收集漏极产生的电荷。

十、p沟道mos管导通条件？

P型MOS管的导通条件：

　　靠在G极上加一个触发电压，使N极与D极导通。对N沟道G极电压为+极性。对P沟道的G极电压为-极性。 场效应管的导通与截止由栅源电压来控制，对于增强型场效应管来说，N沟道的管子加正向电压即导通，P沟道的管子则加反向电压。一般2V～4V就可以了。

　　P沟道mos管作为开关，栅源的阀值为-0.4V，当栅源的电压差为-0.4V就会使DS导通，如果S为2.8V，G为1.8V，那么GS=-1V，mos管导通，D为2.8V。

　　如果S为2.8V，G为2.8V，VGSw，那么mos管不导通，D为0V，所以，如果2.8V连接到S，要mos管导通为系统供电，系统连接到D，利用G控制。和G相连的GPIO高电平要2.8-0.4=2.4V以上，才能使mos管关断，低电平使mos管导通。

　　如果控制G的GPIO的电压区域为1.8V，那么GPIO高电平的时候为1.8V，GS为1.8-2.8=-1V，mos管导通，不能够关断。

　　GPIO为低电平的时候，假如0.1V，那么GS为0.1-2.8=-2.7V,mos管导通。这种情况下GPIO就不能够控制mos管的导通和关闭。