双极型晶体管的特点？ 单极型和双极型晶体管的区别？

一、双极型晶体管的特点？

输入特性曲线：描述了在管压降UCE一定的情况下，基极电流iB与发射结压降uBE之间的关系称为输入伏安特性，可表示为： 硅管的开启电压约为0.7V，锗管的开启电压约为0.3V。

输出特性曲线：描述基极电流IB为一常量时，集电极电流iC与管压降uCE之间的函数关系。可表示为： 双极型晶体管输出特性可分为三个区 ★截止区：发射结和集电结均为反向偏置。IE@0，IC@0，UCE@EC，管子失去放大能力。如果把三极管当作一个开关，这个状态相当于断开状态。★饱和区：发射结和集电结均为正向偏置。在饱和区IC不受IB的控制，管子失去放大作用，UCE@0，IC=EC/RC，把三极管当作一个开关，这时开关处于闭合状态。★放大区：发射结正偏，集电结反偏。放大区的特点是： ◆IC受IB的控制，与UCE的大小几乎无关。因此三极管是一个受电流IB控制的电流源。◆特性曲线平坦部分之间的间隔大小，反映基极电流IB对集电极电流IC控制能力的大小，间隔越大表示管子电流放大系数b越大。◆伏安特性最低的那条线为IB=0，表示基极开路，IC很小，此时的IC就是穿透电流ICEO。◆在放大区电流电压关系为：UCE=EC-ICRC, IC=βIB ◆在放大区管子可等效为一个可变直流电阻。极间反向电流：是少数载流子漂移运动的结果。集电极－基极反向饱和电流ICBO ：是集电结的反向电流。集电极－发射极反向饱和电流ICEO ：它是穿透电流。ICEO与CBO的关系： 特征频率 ：由于晶体管中PN结结电容的存在，晶体管的交流电流放大系数会随工作频率的升高而下降，当 的数值下降到1时的信号频率称为特征频率 。双极型晶体管极限参数 ★最大集电极耗散功率 如图所示。★最大集电极电流 :使b下降到正常值的1/2～2/3时的集电极电流称之为集电极最大允许电流。★极间反向击穿电压：晶体管的某一电极开路时，另外两个电极间所允许加的最高反向电压即为极间反向击穿电压，超过此值的管子会发生击穿现象。温度升高时，击穿电压要下降。

二、单极型和双极型晶体管的区别？

  两者主要区别是名称不同，机构制程不同，工作原理不同

 1、从名称上看，双极型晶体管全称为双极性结型晶体管，俗称三极管，而单极型晶体管叫做场景效应管，简称FET，有所区别。

 2、从结构制程上看，双极型晶体管是由三部分掺杂程度不同的半导体制成，而单极型号晶体管的典型结构是以一个均匀轻掺杂高电阻率的N型单晶半导体作为基区。

 3、从工作原理上看，双极型晶体管有两种载流子参与导电，而单极型晶体管工作时候只有一种载流子参与导电。

三、晶体管，单极型晶体管，双极型晶体管什么关系？

双极性晶体管(BJT,Bipolar Junction Transistor)：又称晶体三极管、半导体三极管等，简称三极管。有两种不同极性的载流子（电子与空穴）同时参与导电，故称为双极型晶体管。根据材料的不同可分为结型场效应管JFET (Junction Field Effect Transistor)和绝缘栅型场效应管IGFET(Insulated Gate FET) 。

单极性晶体管：只有一种极性的多数载流子（电子或空穴）参与导电，故称为单极型晶体管，如场效晶体管等。根据材料的不同晶体三极管可分为硅管(Si)与锗管(Ge)。

硅三极管的反向漏电流小，耐压高，温度漂移小，且能在较高的温度下工作和承受较大的功率损耗。锗三极管的增益大，频率响应好，尤其适用于低压线路。

四、双极型晶体管工作在饱和区的偏置条件是？

以NPN/PNP硅管为例:（1）截止，UbeUbe，Ubc0.7V，Uce